electroless
copper plating
반도체 패키지 기판용
무전해 동도금 프로세스

차세대 반도체 패키지 기판의 미세회로 형성에 공헌

− OKUNO의 무전해 동도금 프로세스 −

스마트폰은 통화뿐만 아니라 음악이나 동영상 등의 콘텐츠 시청, 온라인 쇼핑, 자동차, 스마트 가전, 로봇 등의 산업에 널리 이용되고 있습니다.
휴대 전화나 태블릿 등의 이동 통신 기기는, 대략 10년마다 큰 진화를 이루어 그 최대 통신 속도는, 30년간 약 1,000,000배가 되었습니다. 차세대 통신 시스템에서는, 방대한 양의 데이터를 초고속으로 처리하기 위해, 서버나 고성능 컴퓨터에 탑재되는 반도체에는, 더욱 뛰어난 고성능화가 요구되고 있습니다.
오쿠노제약공업의 무전해 동도금 프로세스 「OPC FLET PROCESS」는, 스마트 프로세스 학회 일렉트로닉스 생산과학 부회 등이 주최하는 제26회 「일렉트로닉스에 있어서의 마이크로 접합·실장기술」 (Mate 2020)에서, 장려상을 수상했습니다.
오쿠노제약공업은, 앞으로도 차세대 반도체 패키지의 고기능화에 공헌하는 표면 기술의 프로세스 개발에 최선을 다 하겠습니다. 그 외, 저조도(低粗度) 절연 재료 등의 신소재에 대응하는 기술개발에도 힘을 쓰고 있으므로, 일렉트로닉스 분야의 표면 처리에 관한 곤란한 점은, 부담 없이 상담해 주시길 바랍니다.

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프린트 배선판의 미세화

전자기기 등의 고성능, 소형화, 경량화에 따라 반도체 패키지 기판은 더욱 고밀도화 되고 있습니다.
그 때문에 반도체 패키지에 이용되는 프린트 배선판에서는 회로의 미세화, 비아 홀의 소경화, 내층동의 극박화(極薄化)가 진행되고 있습니다.

비아 홀에는 바닥면에서 볼 때 내층동, 무전해 동도금, 전기 동도금이라고 하는 3종류의 동이 있습니다.
기존의 방법으로는, 미세화가 진행되면 내층동과 무전해 동도금의 계면에서 박리가 발생하여 접속 신뢰성이 저하 된다는 문제가 있었습니다.

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기존의 방법으로는,
비아 홀의 바닥 부분과 무전해 동도금의 계면에 있어서,
접속 신뢰성이 저하될 우려가 있다.

L/S=5/5μm 이하의 초미세회로 형성을 실현

OKUNO의 무전해 동도금 프로세스

오쿠노제약공업이 새롭게 개발한 무전해 동도금 프로세스, 「OPC FLET PROCESS」는 우수한 석출성과 전기 전도성을 보여주는 동Seed층을 낮은 막 두께로 형성할 수 있습니다.
또한, 저조도(低粗度) 재료에도 뛰어난 밀착성을 보입니다.
무전해 동도금 피막의 낮은 막두께로 인해 무전해 동도금을 에칭 할 때에 생기는 회로 폭 협소화를 대폭으로 개선하여, L/S=5/5μm이하의 초미세 배선의 형성이 가능해졌습니다.

낮은 막 두께에서도 비아 홀 내에 뛰어난 도금 석출성을 얻을 수 있습니다

■OPC FLET PROCESS

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낮은 막 두께에서도 전기 전도성에 뛰어납니다

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■기존 프로세스

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저조도(低粗度)에서도 높은 Peel 강도를 나타냅니다

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비아 홀 바닥부와 도금층의 계면에서 우수한 접속 신뢰성 확보

오쿠노제약공업이 새롭게 개발한 무전해 동도금 프로세스, 「OPC FLET PROCESS」는 내층동과 무전해 동도금 계면에서 결정(結晶) 연속성을 확보하는데 성공했습니다.
이 기술로 인해 최첨단 패키지에서 요구되는 고도의 접속신뢰성을 얻을 수 있습니다.

■OPC FLET PROCESS

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■기존 프로세스

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■미세배선대응 무전해 동도금 「OPC FLET COPPER」

각종 신소재에 대응하는 기술 개발에도 주력하고 있으므로,
표면 처리에 대한 과제는, 부담 없이 오쿠노에 문의해 주시길 바랍니다.